💾Intel возвращается в сегмент оперативной памяти с технологией ZAM, разработанной совместно с Saimemory (SoftBank). Z-Angle Memory использует ступенчатую топологию с диагональными соединениями; гибридное соединение медь‑медь снижает тепловое сопротивление, меньшее количество конденсаторов повышает плотность, подключение через EMIB ускоряет обмен с ИИ‑чипами. Энергопотребление заявлено на 40–50% ниже, чем у HBM, объём на кристалл — до 512 ГБ. SoftBank планирует использовать ZAM в ASIC Izanagi; Intel не выпускала DRAM с 1985 года.

Подробно на IXBT